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ReRAM
Resistance Random Access Memory
차세대 메모리는 DRAM의 고집적성과 낮은 소비전력, flash메모리의 비 휘발성, SRAM의 고속 동작이 모두 구현되어야 한다. 이런 측면에서 유력한 차세대 메모리의 가능성을 보여준 소자가 바로 1960년대부터 연구해온 Resistance Random Access Memory(ReRAM) 이다. ReRAM은insulator물질이 electro-forming 단계를 거치면서 저항이 큰 상태에서 작은 상태로 변하는 동작을 나타내고 이후 Vreset (낮은저항상태->높은저항상태)과 Vset(높은저항상태->낮은저항상태)을 통해 저항이 큰 상태와 작은 상태를 자유롭게 구현할 수 있다.
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ReRAM 저항 변화 원인으로 제시되는 메커니즘으로는 크게 두 가지로 박막 내부 구조적 변화에 의한 multi-filaments 모델과 내부 전기장 변화에 의한 electronic switching 모델로 나뉜다.
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그리고 최근에는 용량 확대를 위해 기존 Flash memory에 적용되던 3D 기술을 ReRAM에 적용하는 연구도 진행되고 있다. 이를 통해 대용량 구현이 가능해진다.
<RRAM: A New Approach to Embedded Memory> <NATURE COMMUNICATIONS 2629
(2013)>
현재 co-sputtering을 통해 금속 산화막에 이종 valence를 갖는 물질의 도핑이 저항변화 특성에 미치는 영향과 비선형 저항변화가 cross-bar구조에서 sneak current 감소에 미치는 영향에 대한 연구가 진행중이다.
