HOME > Research > ReRAM

ReRAM

Resistance Random Access Memory


 차세대 메모리는 DRAM의 고집적성과 낮은 소비전력, flash메모리의 비 휘발성, SRAM의 고속 동작이 모두 구현되어야 한다이런 측면에서 유력한 차세대 메모리의 가능성을 보여준 소자가 바로 1960년대부터 연구해온 Resistance Random Access Memory(ReRAM) 이다ReRAMinsulator물질이 electro-forming 단계를 거치면서 저항이 큰 상태에서 작은 상태로 변하는 동작을 나타내고 이후 Vreset (낮은저항상태->높은저항상태)과 Vset(높은저항상태->낮은저항상태)을 통해 저항이 큰 상태와 작은 상태를 자유롭게 구현할 수 있다.

 

 
그림1.jpg
 
                                                       <Materials today 11 (2008)>

 ReRAM 저항 변화 원인으로 제시되는 메커니즘으로는 크게 두 가지로 박막 내부 구조적 변화에 의한 multi-filaments 모델과 내부 전기장 변화에 의한 electronic switching 모델로 나뉜다.



그림2.jpg
 
                                                         
                                                          <Materials today 11 (2008)>          

 그리고 최근에는 용량 확대를 위해 기존 Flash memory에 적용되던 3D 기술을 ReRAM에 적용하는 연구도 진행되고 있다이를 통해 대용량 구현이 가능해진다.


그림3.jpg


                      <RRAM: A New Approach to Embedded Memory>                           <NATURE COMMUNICATIONS 2629 (2013)>

 현재 co-sputtering을 통해 금속 산화막에 이종 valence를 갖는 물질의 도핑이 저항변화 특성에 미치는 영향과 비선형 저항변화가 cross-bar구조에서 sneak current 감소에 미치는 영향에 대한 연구가 진행중이다.

 
그림4.jpg